Компании Toshiba и SanDisk заключили соглашение о производстве чипов флэш-памяти NAND с вертикальной компоновкой, что позволит существенно повысить плотность и производительность твердотельных дисков.

Toshiba намерена снести одну из своих самых старых фабрик, Fab 2 в префектуре Миэ (Япония), и в сентябре 2014 г. приступить к возведению на ее месте новых производственных мощностей в сотрудничестве с SanDisk. Строительство будет завершено к лету 2015 г., отделочные работы закончат к концу 2015 г., установка производственного оборудования начнется в январе 2016 г., а уже к лету 2016 г. компания приступит к производству первых партий 3D NAND-памяти.

Новая фабрика Toshiba будет возводиться в соответствии с современными требованиями к экономичности и экологичности: будет использовано только светодиодное освещение, предусмотрена система использование вторичного тепла, что позволит сократить выбросы CO₂ на 15% даже по сравнению с новой Fab5, расположенной на той же площадке. Новая фабрика будет производить чипы по 15-нм техпроцессу, который уже осваивается Toshiba на Fab5 для выпуска обычной MLC NAND.

Напомним, Samsung уже начала производство чипов 3D NAND, или V-NAND: в ней используется технология расположения ячеек 3D Charge Trap Flash (CTF), скорость записи повышена вдвое, надежность — в 10 раз по сравнению с обычными NAND, произведенными по 20-нм техпроцессу. V-NAND используется во многих классах потребительской электроники и корпоративного оборудования, в том числе твердотельных дисках емкостью от 128 ГБ до 1 ТБ.