Компания Toshiba объявила о начале массового производства в конце апреля 2014 г. NAND-памяти по 15-нм технологическим нормам. На первом этапе компания будет производить 16 ГБ чипы флэш-памяти NAND MLC с 2-битовой ячейкой и плотностью 128 Гб, до июня 2014 г. Toshiba планирует начать производство 15-нм NAND TLC с многослойной архитектурой.

Новая технология производства позволит Toshiba создать чип наименьшего размера в данном классе и повысить скоростные показатели NAND по сравнению со вторым поколением флэш-памяти, производимой по 19-нм нормам: скорость обмена данными увеличена до 533 Мб/с (в 1,3 раза), правда, скорость записи осталась прежней.

NAND-память по 15-нм техпроцессу будет производиться на заводе в Йоккаити (Yorkkaichi, юго-восток Японии). Здесь уже возводится вторая очередь производственных мощностей, работающих по 15-нм техпроцессу, таким образом, Toshiba готовиться расширить производство быстрых и компактных чипов памяти, спрос на которые постоянно увеличивается в связи с растущей популярностью мобильных устройств.